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1200VSiCMOSFET/1200V电压平台碳化硅平面栅金属氧化物场

来源:盖世汽车  时间:2024-08-28 22:14  编辑:叶子琪   阅读量:5401   

申请技术丨1200V SiC MOSFET/1200V电压平台碳化硅平面栅金属氧化物场效应晶体管

申报领域丨车规级芯片

独特优势:

国际领先的Cell Pitch,连续多年交付国内外重点客户,目前已在超过一百万辆新能源汽车上搭载派恩杰车规芯片

应用场景:

广泛应用于汽车主驱逆变器、OBC、DCDC等车载关键应用

未来前景:

大范围应用于800V平台的新能源汽车主驱逆变器及OBC、DCDC,市场规模超千亿

金辑奖介绍:

“金辑奖”由盖世汽车发起,旨在“发现好公司,推广好技术,成就汽车人”, 并围绕着“中国汽车新供应链百强”这个主题进行展开,本届金辑奖重点聚焦智能驾驶、智能座舱、智能底盘、汽车软件、车规级芯片、大数据及人工智能、动力总成及充换电、热管理、车身及内外饰、新材料十大细分板块,进行优秀企业及先进技术解决方案的评选,向行业内外展示这些优秀的企业和行业领军人物,共同推动行业的发展和进步。

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